반도체 전문기업 KEC(대표이사 황창섭)는 독자적인 Trench Gate Field-Stop 기술을 적용 역전도 다이오드를 모노리딕으로 집적화한 1100V/30A, 1200V, 1350V급 역전도(Reverse Conducting, RC) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)를 출시했다.

종래의 IGBT는 별도의 Diode Chip이 내장된 Two-Chip, One-Package이었으나, 이번에 개발된 IGBT는 Diode를 IGBT Chip에 내장한 One-Chip형태의 제품이다.

이 제품은 KEC IGBT의 성능을 한 단계 더 끌어올리는 제품으로 인버터 전자레인지를 비롯한 소프트 스위칭 어플리케이션 시스템에 최적화 되었다. 이전 제품과 비교해서 스위칭 손실을 최고 30%까지 낮춤으로써 개발자들이 최대 60kHz에 이르는 높은 주파수를 이용할 수 있도록 하여 이 제품을 적용한 시스템은 전반적으로 효율을 93%까지 달성할 수 있으며, 시스템에 사용하는 인덕터를 소형화 할 수 있어 전체적인 시스템 비용을 낮출 수 있도록 한다.

최대 허용 동작온도를 175℃를 보증하여 높은 주위 온도에서도 전력손실을 줄이고 보다 우수한 신뢰성을 보장할 수 있다. 또한 턴온 시의 스파이크 전류를 이전 세대 대비 15% 낮춤으로써 시스템 내의 수동소자들에 대한 스트레스를 줄일 수 있으며 EMI 특성도 뛰어나다.

KEC는 이번 출시된 역전도 IGBT를 2018년 3분기부터 공급할 예정이며 일본 인버터 전자레인지 시장 공략에 적극 나설 계획이다.

KEC는 이 신제품을 연간 1000만개 수준으로 대량 생산할 계획이며 이를 통해 연간 약 900만달러의 매출 증대 효과를 기대한다고 밝혔다.